Японська Rapidus виробила перші прототипи пластин 2 нм з транзисторами GAA

Компанія Rapidus з Японії в найближчому майбутньому може стати ще одним виробником чипів на базі передових техпроцесів. Уже побудовано завод Rapidus Innovative Integration for Manufacturing (IIM‑1) та обладнано виробничу лінію. А тепер офіційно оголошено про отримання перших прототипів пластин на базі техпроцесу 2 нм з передовими транзисторами GAA (Gate-All-Around).

Rapidus демонструє великий прогрес і швидкі темпи в підготовці до нового виробництва. Фундамент для заводу був закладений у вересні 2023 року, а у 2024 році вже розпочався монтаж техніки, включно з 200 зразками передового напівпровідникового обладнання. Компанія робить ставку на літографію EUV та технологію GAA у своєму виробництві. Перший запуск літографа відбувся 1 квітня поточного року. На заводі планують організувати новий метод виробництва з однопластинчастою обробкою. У процесі обробки однієї пластини коригування будуть застосовуватися до всіх наступних пластин. І все це із застосуванням ШІ для аналізу та оптимізації виробництва.

Rapidus уже створює комплект для розробки під свій техпроцес 2 нм на виробничій лінії IIM‑1. Його нададуть першим замовникам 2026 року, що дасть їм змогу створювати й адаптувати свої розробки під конкретне виробництво. А масовий випуск чипів планують налагодити у 2027 році. Лідер індустрії, тайванський гігант TSMC, починає масове виробництво на своїх лініях 2 нм уже в другій половині поточного року. Також Intel вже готова до запуску своєї лінії 18A. Поки що Rapidus явно відстає, але якщо японській компанії вдасться налагодити виробництво навіть через пару років, це буде важливою подією для всієї напівпровідникової індустрії.

Джерела:
Wccftech
PRNewswire